氣體純化器
氨氣純化器
產品概述
適用於 NH₃ 的全自動再生型純化器，多個吸附桶並聯、在常溫純化與高溫再生兩種模式下交替工作，H₂O、O₂、CO₂、NMHC 出口濃度均可控制在 1 ppb 以下，流量 10～100 Nm³/h，使用壽命 20 年以上。
產品特性
指標表（適用氣體：NH₃）
| 雜質 | 進口 INLET (ppm) | BSS21 出口 (ppb) |
|---|---|---|
| 工藝 | — | ADS |
| H₂O | < 3 | < 1 |
| O₂ | < 1 | < 1 |
| CO₂ | < 1 | < 1 |
| NMHC | < 1 | < 1 |
| 微粒 PARTICLES | — | ≤ 1 pcs/m³ (@0.003μm) |
| 流量範圍 | — | 10–100 Nm³/h |
表列為標準型號的指標與配置，其他特殊需求可另行洽詢。
詳細說明
應用背景
氨氣是 LED、GaN 磊晶與部分薄膜製程的重要反應氣體。氣源中的微量水氣與氧會直接影響磊晶品質與元件良率，因此高階製程通常會在用氣端加裝純化設備。 在 GaN 系磊晶裡，氨是氮源，用量大、停留時間長，氣源裡的水與氧會在高溫下參與反應，造成缺陷密度上升與發光效率下降 —— 這類影響往往在成品電性測試才顯現，回頭追因不易，所以前端把氣源顧好是成本最低的作法。工藝介紹
BSS21 系列氨氣純化器透過多個吸附桶並聯，在常溫純化與高溫再生兩種模式下交替工作，使用壽命大於 20 年。產品特點
・全自動運行，24 小時不間斷供氣 ・配置爆破片及安全閥卸壓、高溫機械連鎖與報警功能 ・PLC 控制，具備報警、高溫聯鎖與資料記錄功能 ・出口 H₂O、O₂、CO₂、NMHC 均 < 1 ppb ・出口微粒 ≤ 1 pcs/m³ (@0.003μm)適用製程與產業
・LED 與 GaN 磊晶（MOCVD）：氨作為氮源 ・氮化矽薄膜沉積（SiN CVD）：氨與矽烷反應 ・功率元件與 RF 元件：GaN-on-Si／GaN-on-SiC 製程 ・熱處理滲氮：金屬表面硬化處理 ・電子級氨的分裝與充填站現場配置與安裝要點
・氨具毒性與腐蝕性，全系統依特殊氣體規範設計：包含專用氣瓶櫃、排氣（Exhaust）、洩漏偵測與緊急遮斷 ・材質相容性要確認：氨對銅與銅合金有腐蝕性，管路與閥件不可含銅 ・排放需經處理：再生排氣與吹掃氣含氨，須導入洗滌（Scrubber）或專用處理系統，不可直接排放 ・乾燥與吹掃：系統含水時氨會形成腐蝕性的氨水，安裝後與維護後都必須以乾燥惰性氣體徹底吹掃 ・人員防護：作業區需配置適當的個人防護具與緊急沖淋設施 ・液氨氣化的穩定供應：上游氣化能力不足會造成流量與壓力波動，影響純化效果維護與再生
・吸附桶由 PLC 自動排程再生，吸附材料設計壽命 20 年以上 ・任何拆裝作業前必須完整吹掃並確認殘留氨濃度降到安全值 ・日常維護重點：洩漏偵測器校驗、排氣系統負壓確認、閥件動作與溫控校驗 ・因為腐蝕性，年度歲修建議一併檢查墊片與密封件的劣化狀況與相鄰機種怎麼選
| 機種 | 適用氣體 | 流量 | 備註 |
|---|---|---|---|
| BSS21（本機種） | NH₃ | 10–100 Nm³/h | 全自動再生，適合產線用量 |
| BSP 常溫 POU（配方 72） | NH₃ 等特氣 | 5–4000 SLPM | 小流量用氣點，返廠再生 |
| BSP 常溫 POU（配方 44） | 含 NH₃ 的混合氣 | 5–4000 SLPM | 以有機物去除為主 |
