POU 常溫常壓型氣體純化器

產品概述

安裝於用氣點前端（Point of Use）的管式純化器，以催化吸附技術在常溫常壓下去除氣體中的微量雜質，出口純度可達 ppb 級。流量涵蓋 5～4000 SLPM，接頭尺寸、筒身長度與盤面配置皆可依現場需求客製。

產品特性

標準 POU 選型參數表

型號	最大流量 (SLPM)	標準流量 (SLPM)	最大工作壓力 (MPa)	接口形式	長度 OAL (Face to Face)	管徑 OD (mm)
BSP005	5	0.5	6.9	1/4"MVCR	84.1 (3.31"±.03)	38.1 (1.5")
BSP010	10	1.5	6.9	1/4"MVCR	127 (5.00"±.03)	38.1 (1.5")
BSP010A	10	1.5	6.9	1/4"MVCR	114.3 (4.50"±.03)	38.1 (1.5")
BSP050	50	5	1.73	1/4"MVCR	208.3 (8.20"±.03)	50.8 (2.0")
BSP050A	50	5	1.73	1/4"MVCR	160 (6.30"±.03)	50.8 (2.0")
BSP060	60	9	1.73	1/4"MVCR	208.3 (8.20"±.03)	76.2 (3.0")
BSP075	75	10	1.73	1/4"MVCR	201.7 (7.94"±.03)	76.2 (3.0")
BSP100	100	12	1.73	1/4"MVCR	317.5 (12.50"±.03)	50.8 (2.0")
BSP120	120	25	1.73	1/4"MVCR	254 (10.00"±.03)	76.2 (3.0")
BSP250	250	40	1.73	1/2"MVCR	462.28 (18.20"±.03)	76.2 (3.0")
BSP300	300	80	1.73	1/2"MVCR	439.42 (17.3"±.06)	101.6 (4.0")
BSP500	500	80	1.73	1/2"MVCR	508 (20.00"±.06)	101.6 (4.0")
BSP800	800	200	1.73	1/2"MVCR	702 (27.64"±.06)	152.4 (6.0")
BSP1000	1000	300	1.73	1/2"MVCR	999.24 (39.34"±.06)	152.4 (6.0")
BSP1500	1500	400	1.73	3/4"MVCR	1134.4 (44.66"±.06)	152.4 (6.0")
BSP2000	2000	1000	1.73	3/4"MVCR	1290.32 (50.8"±.06)	152.4 (6.0")
BSP2500	2500	1100	1.73	1"MVCR	1302.4 (51.28"±.06)	152.4 (6.0")
BSP4000	4000	2000	1.73	1"VCR	組合盤面	組合盤面

表列為標準型號的指標與配置，其他特殊需求可另行洽詢。

立即詢價

LINE @baisheng

WeChat

Email：sales@baisheng-tech.com

電話：(02) 2598-1958

詳細說明

工作原理

P 系列純化器採用催化吸附技術，在常溫下將原料氣中的雜質吸附在吸附劑表面。由於不需加熱、不需再生氣源，設備體積小、安裝成本低，適合直接配置在製程設備前端的用氣點。「常溫常壓」指的是純化作用本身不靠加熱驅動，而不是說筒身只能承受常壓 —— 標準型的最大工作壓力落在 1.73～6.9 MPa，需要更高壓力時另有高壓型（BSP-HP）。

產品特點

・可返廠再生，每次間隔 1～2 年，設備壽命可達 20 年以上・內建高精度過濾器，過濾精度 0.003μm ・可選流量範圍 5～4000 SLPM ・在氣源品質 ≥ 5N 的前提下，可將 H₂O、O₂、CO、CO₂、H₂、NMHC 等雜質去除至 < 1 ppb；亦可提供酸、鹼與難熔化合物的去除・接頭尺寸、筒身長短、盤面配置皆可客製

適用氣體

N₂、H₂、O₂、Ar、He、Kr、Ne、Xe、CDA、CH₄、CO₂、Cl₂、BF₃、HCl、GeCl₄、GeH₄、H₂S、H₂Se、HBr、SiHCl₃、SO₂ 等三十多種特殊氣體。

適用製程與產業

POU 純化器的價值在於「最後一哩」：大宗氣體從廠務端送到機台的途中，會經過數十到數百公尺的管路、閥件與接頭，沿路的脫氣、微漏與死角殘留會把原本合格的氣源重新污染。把純化器裝在機台前端，等於在雜質進入製程腔體前做最後一次攔截。・半導體前段：磊晶、蝕刻、CVD／ALD 的載氣與吹掃氣・化合物半導體與 LED：MOCVD 的載氣、特殊氣體管路・面板與顯示器：蒸鍍、封裝製程的惰性氣體保護・分析實驗室：GC／GC-MS、ICP-MS 的載氣與燃氣，避免基線漂移與鬼峰・光纖與特殊材料：預製棒沉積、拉絲爐的保護氣

現場配置與安裝要點

・裝在盡量靠近用氣點的位置：純化器與機台之間的管路越長，重新污染的機會越大・前端要有顆粒過濾：純化器雖內建 0.003μm 過濾器，但若氣源本身帶粉塵或油霧，應先加前置過濾，避免吸附劑提早失效・建議配置旁通（Bypass）與前後隔離閥：更換或返廠再生時不必停線・進出口方向不可反接：筒身上有氣流方向標示，反接會讓吸附床從飽和端先接觸新鮮氣・安裝後先以純化氣吹掃：管路施工期間侵入的空氣與水氣要先趕出，否則開機初期出口品質不易達標・不需要電力與再生氣源，是本系列相對加熱型與全自動型最省安裝成本的地方

維護與再生

・正常氣源條件下的返廠再生間隔為 1～2 年，實際壽命取決於氣源雜質濃度與實際用氣量・吸附劑飽和後不可就地拆解或棄置，需整支返廠處理・建議在出口端配置線上分析儀（水氣／氧）或安排定期取樣，用實測數據判斷更換時機，比只看使用時間準確・現場量測儀器的實際讀值可以到 CDA／N₂ 出口 H₂O 濃度 0.001～0.006 ppbV 的等級，作為驗收與日常監測的參考基準

與相鄰機種怎麼選

機種	流量	是否需要電力	可否去除 CH₄／N₂	典型用途
BSP（本機種）	5–4000 SLPM	否	否	機台前端用氣點
BSP-HP	100–1000 SLPM	否	否	高壓鋼瓶直供、減壓前純化
BSH 加熱型	0.2–150 LPM	是	可	小流量但要求深度除雜
BSS14 大流量常溫型	100–5000 Nm³/h	否	否	廠務端臨時供應或備機

可純化氣體與出口純度對照

不同氣體與雜質組合對應不同的吸附配方，選型時請一併提供氣體種類、流量與純化後品質要求。

配方	適用氣體	可去除雜質與出口純度
51	AsH₃、PH₃	H₂O < 1 ppbV；O₂ < 1 ppbV；金屬 < 1 ppbV
23	CDA、O₂、N₂、Ar、He、Kr、Ne、Xe、H₂、D₂、N₂O、NO、CF₄	H₂O < 100 pptV；CO₂ < 100 pptV；揮發性酸 < 1 pptV；揮發性鹼 < 1 pptV；有機物 < 1 pptV；難熔化合物 < 5 pptV；金屬 < 1 ppbV
44	CDA、O₂、N₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe、H₂、CO₂、C₂H₆、C₃H₈、C₄H₁₀、C₂H₂、C₃H₆、C₂H₄、NH₃	可凝結有機物 (>C6) < 1 pptV；不可凝結有機物 (>C3) < 5 pptV；難熔化合物 (as HMDSO) < 1 pptV；C₃H₇NO (DMF) < 100 pptV
48	CDA、O₂、N₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe	H₂O < 100 pptV；可凝結有機物 (as Toluene) < 1 pptV；不可凝結有機物 (as Butane) < 5 pptV；難熔化合物 (as HMDSO) < 1 pptV；揮發性酸 (as SO₂) < 1 pptV；揮發性鹼 (as NH₃) < 10 pptV
84	CO₂	H₂O < 1 ppbV；O₂ < 200 pptV；揮發性酸 < 1 pptV；揮發性鹼 < 1 pptV；難熔化合物 < 1 pptV；可凝結有機物 < 1 pptV
62	CO	H₂O < 1 ppbV；O₂ < 1 ppbV；CO₂ < 1 ppbV
61	HBr	H₂O < 1 ppbV
32	B₂H₆、BCl₃、CClH₃、GeCl₄、GeH₄、H₂S、H₂Se、NF₃、SiCl₄、SiF₄、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SO₂、CHClF₂、BF₃	H₂O < 1 ppbV；金屬 < 1 ppbV
60	HCl、Cl₂	烴類 (as Toluene) < 1 pptV；Fe / Ni / Mo / Cr / Mn < 14 pptV；H₂O < 15 ppbV
22	CDA、O₂、CO₂、N₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe、H₂、D₂、NH₃、AsH₃、PH₃、GeH₄、SiH₄、N₂O、NO、CF₄、C₂H₂、(CH₃)₂NH (DMA)、(CH₃)₂N₂H₂ (DMHz)	H₂O < 100 pptV
94	H₂、N₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe、H₂/N₂、H₂/惰性氣體混合	H₂O < 100 pptV；CO₂ < 100 pptV；O₂ < 250 pptV；CO < 1 ppbV；揮發性酸 (as SO₂) < 1 pptV；揮發性鹼 (as NH₃) < 10 pptV；CxHy (45–100 amu) < 10 pptV；CxHy (>100 amu) < 1 pptV；難熔化合物 (as HMDSO) < 1 pptV
43	N₂、Ar、He、Kr、Ne、Xe、H₂、CDA、O₂、CO₂	揮發性酸 < 1 pptV；揮發性鹼 < 5 pptV；有機物 < 1 pptV；難熔化合物 < 1 pptV；金屬 < 1 ppbV
99	H₂、O₂、N₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe、H₂/N₂、H₂/惰性氣體混合	H₂O、O₂、CO、CO₂ 均 < 100 pptV
95	N₂、Ar、He、Kr、Ne、Xe、CF₄、CH₄、C₂H₆、C₃H₈、C₄H₁₀	H₂O、O₂、CO、CO₂、H₂ 均 < 100 pptV；硫化物 < 1 ppbV
72	NH₃、C₂H₄、GeH₄、CSiH₆、C₂H₇N、C₃H₆、SF₆、H₂/SiH₄ 混合、C₂H₈N₂、CH₃SiH₃、H₂/SiH₄ 混合	H₂O、O₂、CO₂ 均 < 1 ppb；有機物 (>C4) < 1 ppb；金屬 < 1 ppb
82	SiH₄	H₂O、CO₂、O₂、CO、硫化物均 < 1 ppb；金屬去除 < 1 ppb