Purificadores de gas
Purificador de gas de punto de uso a temperatura ambiente
Descripción del producto
Purificador en línea instalado en el punto de uso, que elimina impurezas traza por adsorción catalítica a temperatura y presión ambiente, con una pureza de salida de nivel ppb. El caudal abarca de 5 a 4000 SLPM, y el tamaño de la conexión, la longitud del recipiente y la configuración del panel pueden adaptarse a los requisitos de la instalación.
Características y especificaciones
Tabla de selección POU estándar
| Modelo | Caudal máx. (SLPM) | Caudal nominal (SLPM) | Presión máx. de trabajo (MPa) | Tipo de conexión | Longitud OAL (cara a cara) | Diámetro ext. del tubo OD (mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP005 | 5 | 0.5 | 6.9 | 1/4"MVCR | 84.1 (3.31"±.03) | 38.1 (1.5") |
| BSP010 | 10 | 1.5 | 6.9 | 1/4"MVCR | 127 (5.00"±.03) | 38.1 (1.5") |
| BSP010A | 10 | 1.5 | 6.9 | 1/4"MVCR | 114.3 (4.50"±.03) | 38.1 (1.5") |
| BSP050 | 50 | 5 | 1.73 | 1/4"MVCR | 208.3 (8.20"±.03) | 50.8 (2.0") |
| BSP050A | 50 | 5 | 1.73 | 1/4"MVCR | 160 (6.30"±.03) | 50.8 (2.0") |
| BSP060 | 60 | 9 | 1.73 | 1/4"MVCR | 208.3 (8.20"±.03) | 76.2 (3.0") |
| BSP075 | 75 | 10 | 1.73 | 1/4"MVCR | 201.7 (7.94"±.03) | 76.2 (3.0") |
| BSP100 | 100 | 12 | 1.73 | 1/4"MVCR | 317.5 (12.50"±.03) | 50.8 (2.0") |
| BSP120 | 120 | 25 | 1.73 | 1/4"MVCR | 254 (10.00"±.03) | 76.2 (3.0") |
| BSP250 | 250 | 40 | 1.73 | 1/2"MVCR | 462.28 (18.20"±.03) | 76.2 (3.0") |
| BSP300 | 300 | 80 | 1.73 | 1/2"MVCR | 439.42 (17.3"±.06) | 101.6 (4.0") |
| BSP500 | 500 | 80 | 1.73 | 1/2"MVCR | 508 (20.00"±.06) | 101.6 (4.0") |
| BSP800 | 800 | 200 | 1.73 | 1/2"MVCR | 702 (27.64"±.06) | 152.4 (6.0") |
| BSP1000 | 1000 | 300 | 1.73 | 1/2"MVCR | 999.24 (39.34"±.06) | 152.4 (6.0") |
| BSP1500 | 1500 | 400 | 1.73 | 3/4"MVCR | 1134.4 (44.66"±.06) | 152.4 (6.0") |
| BSP2000 | 2000 | 1000 | 1.73 | 3/4"MVCR | 1290.32 (50.8"±.06) | 152.4 (6.0") |
| BSP2500 | 2500 | 1100 | 1.73 | 1"MVCR | 1302.4 (51.28"±.06) | 152.4 (6.0") |
| BSP4000 | 4000 | 2000 | 1.73 | 1"VCR | Panel combinado | Panel combinado |
La tabla recoge únicamente la especificación y la configuración de los modelos estándar; consulte para otros requisitos especiales.
Descripción detallada
Principio de funcionamiento
La serie P emplea adsorción catalítica para retener a temperatura ambiente las impurezas del gas de alimentación sobre la superficie del adsorbente. Al no requerir calentamiento ni gas de purga, el equipo es compacto y económico de instalar, lo que lo hace idóneo para montarlo directamente en el punto de uso, delante del equipo de proceso. "Temperatura y presión ambiente" se refiere a que el mecanismo de purificación no lo impulsa el calor; no significa que el recipiente solo resista la presión atmosférica. Los modelos estándar están timbrados entre 1,73 y 6,9 MPa y, cuando hace falta más presión, existe la versión de alta presión (BSP-HP).Características del producto
・Regeneración en fábrica cada 1–2 años, con una vida del equipo superior a 20 años ・Filtro de alta precisión incorporado, con grado de filtración de 0,003 μm ・Caudales seleccionables de 5 a 4000 SLPM ・Con una calidad de gas de origen de 5N o superior, elimina H₂O, O₂, CO, CO₂, H₂ y NMHC hasta < 1 ppb; también es posible la eliminación de ácidos, bases y compuestos refractarios ・El tamaño de conexión, la longitud del recipiente y la configuración del panel son personalizablesGases aplicables
N₂, H₂, O₂, Ar, He, Kr, Ne, Xe, CDA, CH₄, CO₂, Cl₂, BF₃, HCl, GeCl₄, GeH₄, H₂S, H₂Se, HBr, SiHCl₃, SO₂ y más de treinta gases especiales adicionales.Procesos y sectores de aplicación
El valor de un purificador POU está en la última milla. De camino desde el suministro de la planta hasta la máquina, el gas atraviesa decenas o centenares de metros de tubería, válvulas y racores, y la desgasificación, las microfugas y los residuos en ramales muertos vuelven a contaminar un gas que salió del origen perfectamente limpio. Instalar un purificador en la entrada de la máquina es la última oportunidad de interceptar las impurezas antes de que entren en la cámara de proceso. ・Front end de semiconductores: gas portador y de purga para epitaxia, grabado, CVD y ALD ・Semiconductores compuestos y LED: gas portador de MOCVD y líneas de gases especiales ・Display y panel: protección con gas inerte en evaporación y encapsulado ・Laboratorios de análisis: gas portador y combustible para GC, GC-MS e ICP-MS, evitando deriva de línea base y picos fantasma ・Fibra óptica y materiales avanzados: gas de protección para deposición de preformas y hornos de estiradoNotas de instalación y disposición
・Monte lo más cerca posible del punto de uso: cuanto más larga sea la tubería entre purificador y máquina, mayor es la posibilidad de recontaminación ・Prevea filtración de partículas aguas arriba: el purificador incorpora un filtro de 0,003 μm, pero si el gas de origen arrastra polvo o niebla de aceite conviene añadir prefiltración para que el adsorbente no falle antes de tiempo ・Instale un bypass y válvulas de aislamiento: así la sustitución o el envío a fábrica no obligan a parar la línea ・No invierta entrada y salida: el recipiente lleva marcado el sentido de flujo, e invertirlo introduce gas fresco por el extremo saturado del lecho ・Purgue con gas purificado tras la instalación: el aire y la humedad que entraron durante el montaje deben expulsarse primero, o la calidad de salida no alcanzará el objetivo en las primeras horas ・No requiere energía eléctrica ni gas de purga, y ahí es donde esta serie ahorra más en instalación frente a los tipos calentado y totalmente automáticoMantenimiento y regeneración
・En condiciones normales de gas de origen, el intervalo de regeneración en fábrica es de 1–2 años; la vida real depende de la concentración de impurezas y del consumo efectivo ・Un adsorbente saturado no debe abrirse ni desecharse in situ: se devuelve el cartucho completo para su tratamiento ・Instale un analizador en línea (humedad u oxígeno) en la salida o programe muestreos periódicos; juzgar la sustitución con datos medidos es mucho más exacto que contar horas de servicio ・Los instrumentos de campo pueden leer concentraciones de H₂O a la salida en CDA y N₂ del orden de 0,001–0,006 ppbV, lo que sirve de referencia para la aceptación y la vigilancia rutinariaCómo elegir entre modelos próximos
| Modelo | Caudal | Necesita energía | Elimina CH₄ / N₂ | Uso típico |
|---|---|---|---|---|
| BSP (este modelo) | 5–4000 SLPM | No | No | Punto de uso en la máquina |
| BSP-HP | 100–1000 SLPM | No | No | Suministro directo desde botella de alta presión, purificación antes de regulación |
| BSH tipo calentado | 0.2–150 LPM | Sí | Sí | Caudal pequeño con eliminación profunda |
| BSS14 ambiente de gran caudal | 100–5000 Nm³/h | No | No | Suministro temporal o de reserva a nivel de planta |
Gases purificables y pureza de salida
Cada combinación de gas e impurezas corresponde a una formulación de adsorbente distinta; al especificar, indique conjuntamente el tipo de gas, el caudal y la calidad de salida requerida.| Formulación | Gases aplicables | Impurezas eliminadas y pureza de salida |
|---|---|---|
| 51 | AsH₃, PH₃ | H₂O < 1 ppbV; O₂ < 1 ppbV; metales < 1 ppbV |
| 23 | CDA, O₂, N₂, Ar, He, Kr, Ne, Xe, H₂, D₂, N₂O, NO, CF₄ | H₂O < 100 pptV; CO₂ < 100 pptV; ácidos volátiles < 1 pptV; bases volátiles < 1 pptV; orgánicos < 1 pptV; compuestos refractarios < 5 pptV; metales < 1 ppbV |
| 44 | CDA, O₂, N₂, Ar, He, Ne, Kr, Xe, H₂, CO₂, C₂H₆, C₃H₈, C₄H₁₀, C₂H₂, C₃H₆, C₂H₄, NH₃ | Orgánicos condensables (>C6) < 1 pptV; orgánicos no condensables (>C3) < 5 pptV; compuestos refractarios (as HMDSO) < 1 pptV; C₃H₇NO (DMF) < 100 pptV |
| 48 | CDA, O₂, N₂, Ar, He, Ne, Kr, Xe | H₂O < 100 pptV; orgánicos condensables (as tolueno) < 1 pptV; orgánicos no condensables (as butano) < 5 pptV; compuestos refractarios (as HMDSO) < 1 pptV; ácidos volátiles (as SO₂) < 1 pptV; bases volátiles (as NH₃) < 10 pptV |
| 84 | CO₂ | H₂O < 1 ppbV; O₂ < 200 pptV; ácidos volátiles < 1 pptV; bases volátiles < 1 pptV; compuestos refractarios < 1 pptV; orgánicos condensables < 1 pptV |
| 62 | CO | H₂O < 1 ppbV; O₂ < 1 ppbV; CO₂ < 1 ppbV |
| 61 | HBr | H₂O < 1 ppbV |
| 32 | B₂H₆, BCl₃, CClH₃, GeCl₄, GeH₄, H₂S, H₂Se, NF₃, SiCl₄, SiF₄, SiH₂Cl₂, SiHCl₃, SO₂, CHClF₂, BF₃ | H₂O < 1 ppbV; metales < 1 ppbV |
| 60 | HCl, Cl₂ | Hidrocarburos (as tolueno) < 1 pptV; Fe / Ni / Mo / Cr / Mn < 14 pptV; H₂O < 15 ppbV |
| 22 | CDA, O₂, CO₂, N₂, Ar, He, Ne, Kr, Xe, H₂, D₂, NH₃, AsH₃, PH₃, GeH₄, SiH₄, N₂O, NO, CF₄, C₂H₂, (CH₃)₂NH (DMA), (CH₃)₂N₂H₂ (DMHz) | H₂O < 100 pptV |
| 94 | H₂, N₂, Ar, He, Ne, Kr, Xe, H₂/N₂, mezclas H₂/gas inerte | H₂O < 100 pptV; CO₂ < 100 pptV; O₂ < 250 pptV; CO < 1 ppbV; ácidos volátiles (as SO₂) < 1 pptV; bases volátiles (as NH₃) < 10 pptV; CxHy (45–100 amu) < 10 pptV; CxHy (>100 amu) < 1 pptV; compuestos refractarios (as HMDSO) < 1 pptV |
| 43 | N₂, Ar, He, Kr, Ne, Xe, H₂, CDA, O₂, CO₂ | Ácidos volátiles < 1 pptV; bases volátiles < 5 pptV; orgánicos < 1 pptV; compuestos refractarios < 1 pptV; metales < 1 ppbV |
| 99 | H₂, O₂, N₂, Ar, He, Ne, Kr, Xe, H₂/N₂, mezclas H₂/gas inerte | H₂O, O₂, CO y CO₂ todos < 100 pptV |
| 95 | N₂, Ar, He, Kr, Ne, Xe, CF₄, CH₄, C₂H₆, C₃H₈, C₄H₁₀ | H₂O, O₂, CO, CO₂ y H₂ todos < 100 pptV; compuestos de azufre < 1 ppbV |
| 72 | NH₃, C₂H₄, GeH₄, CSiH₆, C₂H₇N, C₃H₆, SF₆, mezclas H₂/SiH₄, C₂H₈N₂, CH₃SiH₃, mezclas H₂/SiH₄ | H₂O, O₂ y CO₂ todos < 1 ppb; orgánicos (>C4) < 1 ppb; metales < 1 ppb |
| 82 | SiH₄ | H₂O, CO₂, O₂, CO y compuestos de azufre todos < 1 ppb; metales eliminados hasta < 1 ppb |
