เครื่องทำก๊าซบริสุทธิ์
เครื่องทำบริสุทธิ์แอมโมเนีย
รายละเอียดสินค้า
เครื่องทำบริสุทธิ์แบบรีเจนอัตโนมัติเต็มรูปแบบสำหรับ NH₃ ถังดูดซับหลายถังต่อขนานกัน สลับระหว่างการทำบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิปกติกับการรีเจนที่อุณหภูมิสูง ควบคุมความเข้มข้นทางออกของ H₂O, O₂, CO₂ และ NMHC ได้ต่ำกว่า 1 ppb ทั้งหมด อัตราการไหล 10–100 Nm³/h อายุใช้งานกว่า 20 ปี
คุณสมบัติและข้อมูลจำเพาะ
ตารางชี้วัด (ก๊าซที่ใช้ได้: NH₃)
| สิ่งเจือปน | ทางเข้า INLET (ppm) | BSS21 ทางออก (ppb) |
|---|---|---|
| เทคโนโลยี | — | ADS |
| H₂O | < 3 | < 1 |
| O₂ | < 1 | < 1 |
| CO₂ | < 1 | < 1 |
| NMHC | < 1 | < 1 |
| อนุภาค PARTICLES | — | ≤ 1 pcs/m³ (@0.003μm) |
| ช่วงอัตราการไหล | — | 10–100 Nm³/h |
ตารางแสดงเฉพาะสเปกและการกำหนดค่าของรุ่นมาตรฐาน หากมีความต้องการพิเศษอื่น ๆ โปรดติดต่อสอบถาม
คำอธิบายโดยละเอียด
ที่มาของการใช้งาน
แอมโมเนียเป็นก๊าซทำปฏิกิริยาสำคัญใน LED อิพิแทกซี GaN และกระบวนการฟิล์มบางบางประเภท ความชื้นและออกซิเจนปริมาณน้อยในแหล่งก๊าซกระทบคุณภาพอิพิแทกซีและผลผลิตของชิ้นส่วนโดยตรง กระบวนการระดับสูงจึงมักติดตั้งอุปกรณ์ทำบริสุทธิ์ที่จุดใช้งานเพิ่ม ในอิพิแทกซีตระกูล GaN แอมโมเนียเป็นแหล่งไนโตรเจน ใช้ปริมาณมากและมีเวลาคงอยู่ยาว น้ำและออกซิเจนในก๊าซจึงเข้าร่วมปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูง ทำให้ความหนาแน่นข้อบกพร่องสูงขึ้นและประสิทธิภาพการเปล่งแสงลดลง ผลกระทบแบบนี้มักปรากฏตอนทดสอบสมบัติทางไฟฟ้าของผลิตภัณฑ์สำเร็จ ซึ่งย้อนกลับไปหาสาเหตุได้ยาก การดูแลแหล่งก๊าซให้ดีตั้งแต่ต้นทางจึงเป็นวิธีที่ต้นทุนต่ำที่สุดแนะนำกระบวนการ
ซีรีส์ BSS21 ใช้ถังดูดซับหลายถังต่อขนานกัน สลับระหว่างการทำบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิปกติกับการรีเจนที่อุณหภูมิสูง อายุใช้งานกว่า 20 ปีจุดเด่นของผลิตภัณฑ์
・ทำงานอัตโนมัติเต็มรูปแบบ จ่ายก๊าซต่อเนื่อง 24 ชั่วโมง ・มีแผ่นระเบิดและวาล์วนิรภัยระบายความดัน อินเตอร์ล็อกเชิงกลอุณหภูมิสูงและระบบแจ้งเตือน ・ควบคุมด้วย PLC มีฟังก์ชันแจ้งเตือน อินเตอร์ล็อกอุณหภูมิสูง และบันทึกข้อมูล ・H₂O, O₂, CO₂ และ NMHC ทางออกทั้งหมด < 1 ppb ・อนุภาคทางออก ≤ 1 pcs/m³ (@0.003 μm)กระบวนการและอุตสาหกรรมที่ใช้งาน
・อิพิแทกซี LED และ GaN (MOCVD): ใช้แอมโมเนียเป็นแหล่งไนโตรเจน ・การเคลือบฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ (SiN CVD): แอมโมเนียทำปฏิกิริยากับไซเลน ・ชิ้นส่วนกำลังและชิ้นส่วน RF: กระบวนการ GaN-on-Si และ GaN-on-SiC ・การอบชุบด้วยไนไตรดิง: การชุบแข็งผิวโลหะ ・สถานีแบ่งบรรจุและบรรจุแอมโมเนียเกรดอิเล็กทรอนิกส์การจัดวางหน้างานและข้อควรระวังในการติดตั้ง
・แอมโมเนียมีพิษและกัดกร่อน ทั้งระบบต้องออกแบบตามระเบียบก๊าซพิเศษ: รวมถึงตู้ก๊าซเฉพาะ ระบบดูดอากาศ (Exhaust) การตรวจจับการรั่ว และการตัดฉุกเฉิน ・ยืนยันความเข้ากันได้ของวัสดุ: แอมโมเนียกัดกร่อนทองแดงและโลหะผสมทองแดง ท่อและวาล์วจึงห้ามมีทองแดง ・การปล่อยทิ้งต้องผ่านการบำบัด: ก๊าซทิ้งจากการรีเจนและก๊าซเป่าไล่มีแอมโมเนีย ต้องนำเข้าหอชะล้าง (Scrubber) หรือระบบบำบัดเฉพาะ ห้ามปล่อยตรงสู่บรรยากาศ ・การทำแห้งและการเป่าไล่: เมื่อมีน้ำในระบบ แอมโมเนียจะกลายเป็นสารละลายแอมโมเนียที่กัดกร่อน หลังติดตั้งและหลังบำรุงรักษาทุกครั้งจึงต้องเป่าไล่ด้วยก๊าซเฉื่อยแห้งอย่างทั่วถึง ・การป้องกันบุคลากร: พื้นที่ทำงานต้องมีอุปกรณ์ป้องกันส่วนบุคคลที่เหมาะสมและที่ชำระล้างฉุกเฉิน ・การจ่ายที่เสถียรจากการระเหยแอมโมเนียเหลว: กำลังการระเหยด้านต้นทางที่ไม่พอทำให้อัตราการไหลและความดันแกว่ง ส่งผลต่อประสิทธิภาพการทำบริสุทธิ์การบำรุงรักษาและการรีเจน
・ถังดูดซับรีเจนอัตโนมัติตามตารางของ PLC วัสดุดูดซับมีอายุออกแบบกว่า 20 ปี ・ก่อนงานถอดประกอบใด ๆ ต้องเป่าไล่ให้หมดและยืนยันว่าความเข้มข้นแอมโมเนียตกค้างลดลงถึงระดับปลอดภัย ・จุดเน้นของการบำรุงรักษาประจำวัน: การสอบเทียบเครื่องตรวจจับการรั่ว การยืนยันความดันลบของระบบดูดอากาศ การทำงานของวาล์วและการสอบเทียบการควบคุมอุณหภูมิ ・เพราะมีการกัดกร่อน การซ่อมบำรุงประจำปีจึงควรตรวจสภาพการเสื่อมของปะเก็นและวัสดุซีลไปด้วยเลือกอย่างไรระหว่างรุ่นใกล้เคียง
| รุ่น | ก๊าซที่ใช้ได้ | อัตราการไหล | หมายเหตุ |
|---|---|---|---|
| BSS21 (รุ่นนี้) | NH₃ | 10–100 Nm³/h | รีเจนอัตโนมัติ เหมาะกับปริมาณการใช้ของสายการผลิต |
| BSP POU อุณหภูมิปกติ (สูตร 72) | NH₃ และก๊าซพิเศษอื่น | 5–4000 SLPM | จุดใช้งานอัตราไหลต่ำ ส่งกลับโรงงานรีเจน |
| BSP POU อุณหภูมิปกติ (สูตร 44) | ก๊าซผสมที่มี NH₃ | 5–4000 SLPM | เน้นการกำจัดสารอินทรีย์เป็นหลัก |
