โซน NIPPON MUKI
แผ่นกรอง ULPA สารอินทรีย์ต่ำ/โบรอนต่ำ Nouvelle TGMML
รายละเอียดสินค้า
TGMML เป็นแผ่นกรอง ULPA แบบมินิพลีทที่ทั้งสารอินทรีย์ต่ำและโบรอนต่ำในตัวเดียว ประสิทธิภาพ 99.9995% @ 0.1 μm ควบคุมการปล่อยทั้งสารอินทรีย์และโบรอนไปพร้อมกัน จึงเป็น ULPA ระดับสูงสุดสำหรับกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์แนวหน้าและพื้นที่ที่อ่อนไหวต่อโฟโตรีซิสต์
คุณสมบัติเด่น
・ULPA 99.9995% @ 0.1 μm
・สารอินทรีย์ต่ำและโบรอนต่ำพร้อมกัน
・โครงสร้างมินิพลีท (ความดันตกคร่อมต่ำ)
・สเปกมาตรฐานของพื้นที่อ่อนไหวต่อ AMC ที่โหนดต่ำกว่า 14 นาโนเมตร
อุตสาหกรรมเป้าหมาย:การแพทย์ เภสัชกรรม อิเล็กทรอนิกส์
สเปกสำคัญ
- ประสิทธิภาพการกรอง
- 99.9995%@0.1μm
- อัตราลมพิกัด
- 2 – 39.5 CMM (120 – 2370 CMH)
- ความดันตกเริ่มต้น
- 118 – 147 Pa
- ขนาดมาตรฐาน
- W 305–1500 × H 305–915 × D 65–98 mm
ตารางสเปก
- ประสิทธิภาพการกรอง
- 99.9995%@0.1μm
- อัตราลมพิกัด
- 2 – 39.5 CMM (120 – 2370 CMH)
- ความดันตกเริ่มต้น
- 118 – 147 Pa
- ขนาดมาตรฐาน
- W 305–1500 × H 305–915 × D 65–98 mm
ตารางเทียบรุ่น
| ลำดับ | รุ่น | ประสิทธิภาพ | W (mm) | H (mm) | D (mm) | อัตราลม (CMM) | อัตราลม (CMH) | ความดันตกเริ่มต้น (Pa) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 305 | 305 | 65 | 2.0 | 120 | 147 |
| 2 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 305 | 610 | 65 | 4.5 | 270 | 147 |
| 3 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 457 | 457 | 65 | 5.0 | 300 | 147 |
| 4 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 610 | 610 | 65 | 10.0 | 598 | 147 |
| 5 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 762 | 610 | 65 | 12.5 | 750 | 147 |
| 6 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 915 | 610 | 65 | 15.0 | 900 | 147 |
| 7 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 1220 | 610 | 65 | 20.5 | 1230 | 147 |
| 8 | TGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1μm | 1500 | 915 | 65 | 39.0 | 2340 | 147 |
| 9 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 305 | 305 | 98 | 2.0 | 120 | 118 |
| 10 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 305 | 610 | 98 | 4.5 | 270 | 118 |
| 11 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 457 | 457 | 98 | 5.5 | 328 | 118 |
| 12 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 610 | 610 | 98 | 10.0 | 600 | 118 |
| 13 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 762 | 610 | 98 | 12.5 | 750 | 118 |
| 14 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 915 | 610 | 98 | 15.5 | 930 | 118 |
| 15 | TGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1μm | 1500 | 915 | 98 | 39.5 | 2370 | 118 |
คำอธิบายโดยละเอียด
TGMML แก้ปัญหา AMC สองชนิดที่โรงงานเซมิคอนดักเตอร์ให้ความสำคัญที่สุดไปพร้อมกัน (สารอินทรีย์กลุ่มคาร์บาเมตและโบรอน) เหมาะกับสภาพแวดล้อมที่ไวต่อทั้งสารอินทรีย์และโบรอน เช่น บริเวณรอบเครื่องลิโทกราฟีและโซนเคลือบโฟโตรีซิสต์
วัสดุและโครงสร้าง
| รายการ | ข้อกำหนด |
|---|---|
| กรอบ | ALUMINUM |
| วัสดุกรอง | GLASS PAPER |
| อุณหภูมิใช้งานสูงสุด | 60°C |
| ความชื้นสัมพัทธ์ | 60%RH |
| แผ่นคั่น | HOT MELT ADHESIVE |
| ปะเก็น | EPDM |
| ตะแกรงป้องกันด้านลมออก | - |
| ตะแกรงป้องกันด้านลมเข้า | - |
| กาวซีล | POLYURETHANE RESIN |
| อัตราลมสูงสุด | Can be calculated on request |
| ความดันตกคร่อมช่วงปลายสูงสุด | 294 |
Airflow vs Pressure Drop (representative)
พื้นที่การใช้งาน
- บริเวณรอบเครื่องลิโทกราฟี EUV/DUV - โซนเคลือบโฟโตรีซิสต์และล้างภาพ - โรงงานเวเฟอร์ระดับแนวหน้าต่ำกว่า 14 nmข้อแนะนำในการเลือกรุ่น
- ต้องการเพียงโบรอนต่ำ → BGMML จะประหยัดกว่า - ต้องการเพียงสารอินทรีย์ต่ำ → ติดต่อเพื่อสั่งทำพิเศษ - ต้องการทั้งสองอย่าง → เลือกรุ่นนี้ (ระดับสูงสุด)ข้อมูลอ้างอิงสำหรับการเลือกใช้
ก่อนสั่งซื้อ โปรดตรวจสอบระดับประสิทธิภาพ ชนิดของวัสดุกรอง และสภาพแวดล้อมการใช้งานว่าตรงกับความต้องการของคุณหรือไม่








