แผ่นกรอง ULPA สารอินทรีย์ต่ำ/โบรอนต่ำ Nouvelle TGMML - โซน NIPPON MUKI | Baisheng Tech
รหัสสินค้า:NM-TGMMLโซน NIPPON MUKIULPA มาตรฐาน
โซน NIPPON MUKI

แผ่นกรอง ULPA สารอินทรีย์ต่ำ/โบรอนต่ำ Nouvelle TGMML

รายละเอียดสินค้า

TGMML เป็นแผ่นกรอง ULPA แบบมินิพลีทที่ทั้งสารอินทรีย์ต่ำและโบรอนต่ำในตัวเดียว ประสิทธิภาพ 99.9995% @ 0.1 μm ควบคุมการปล่อยทั้งสารอินทรีย์และโบรอนไปพร้อมกัน จึงเป็น ULPA ระดับสูงสุดสำหรับกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์แนวหน้าและพื้นที่ที่อ่อนไหวต่อโฟโตรีซิสต์ คุณสมบัติเด่น ・ULPA 99.9995% @ 0.1 μm ・สารอินทรีย์ต่ำและโบรอนต่ำพร้อมกัน ・โครงสร้างมินิพลีท (ความดันตกคร่อมต่ำ) ・สเปกมาตรฐานของพื้นที่อ่อนไหวต่อ AMC ที่โหนดต่ำกว่า 14 นาโนเมตร อุตสาหกรรมเป้าหมาย:การแพทย์ เภสัชกรรม อิเล็กทรอนิกส์

สเปกสำคัญ

ประสิทธิภาพการกรอง
99.9995%@0.1μm
อัตราลมพิกัด
2 – 39.5 CMM (120 – 2370 CMH)
ความดันตกเริ่มต้น
118 – 147 Pa
ขนาดมาตรฐาน
W 305–1500 × H 305–915 × D 65–98 mm
ขอใบเสนอราคา

Email:sales@baisheng-tech.com

โทรศัพท์:+886-2-25981958

ประสิทธิภาพการกรอง
99.9995%@0.1μm
อัตราลมพิกัด
2 – 39.5 CMM (120 – 2370 CMH)
ความดันตกเริ่มต้น
118 – 147 Pa
ขนาดมาตรฐาน
W 305–1500 × H 305–915 × D 65–98 mm
ลำดับรุ่นประสิทธิภาพW (mm)H (mm)D (mm)อัตราลม (CMM)อัตราลม (CMH)ความดันตกเริ่มต้น (Pa)
1TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm305305652.0120147
2TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm305610654.5270147
3TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm457457655.0300147
4TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm6106106510.0598147
5TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm7626106512.5750147
6TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm9156106515.0900147
7TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm12206106520.51230147
8TGMML-Z-E4199.9995%@0.1μm15009156539.02340147
9TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm305305982.0120118
10TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm305610984.5270118
11TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm457457985.5328118
12TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm6106109810.0600118
13TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm7626109812.5750118
14TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm9156109815.5930118
15TGMML-Z-E3899.9995%@0.1μm15009159839.52370118

คำอธิบายโดยละเอียด

TGMML แก้ปัญหา AMC สองชนิดที่โรงงานเซมิคอนดักเตอร์ให้ความสำคัญที่สุดไปพร้อมกัน (สารอินทรีย์กลุ่มคาร์บาเมตและโบรอน) เหมาะกับสภาพแวดล้อมที่ไวต่อทั้งสารอินทรีย์และโบรอน เช่น บริเวณรอบเครื่องลิโทกราฟีและโซนเคลือบโฟโตรีซิสต์

วัสดุและโครงสร้าง

รายการข้อกำหนด
กรอบALUMINUM
วัสดุกรองGLASS PAPER
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด60°C
ความชื้นสัมพัทธ์60%RH
แผ่นคั่นHOT MELT ADHESIVE
ปะเก็นEPDM
ตะแกรงป้องกันด้านลมออก-
ตะแกรงป้องกันด้านลมเข้า-
กาวซีลPOLYURETHANE RESIN
อัตราลมสูงสุดCan be calculated on request
ความดันตกคร่อมช่วงปลายสูงสุด294

Airflow vs Pressure Drop (representative)

010020030040050002004006008001000Air volume (m³/h)Pressure drop (Pa)TGMML 65mmTGMML 98mm
ใช้ขนาด 1220×610 mm เป็นตัวแทน ความลึก 98 mm มีความดันตกคร่อมต่ำที่สุด

พื้นที่การใช้งาน

- บริเวณรอบเครื่องลิโทกราฟี EUV/DUV - โซนเคลือบโฟโตรีซิสต์และล้างภาพ - โรงงานเวเฟอร์ระดับแนวหน้าต่ำกว่า 14 nm

ข้อแนะนำในการเลือกรุ่น

- ต้องการเพียงโบรอนต่ำ → BGMML จะประหยัดกว่า - ต้องการเพียงสารอินทรีย์ต่ำ → ติดต่อเพื่อสั่งทำพิเศษ - ต้องการทั้งสองอย่าง → เลือกรุ่นนี้ (ระดับสูงสุด)

ข้อมูลอ้างอิงสำหรับการเลือกใช้

ก่อนสั่งซื้อ โปรดตรวจสอบระดับประสิทธิภาพ ชนิดของวัสดุกรอง และสภาพแวดล้อมการใช้งานว่าตรงกับความต้องการของคุณหรือไม่