NIPPON MUKI
Filtro ULPA de bajo boro BGMML
Descripción del producto
BGMML es un filtro ULPA mini-pleats de bajo boro con una eficiencia del 99,9995% @ 0,1-0,2 μm. Su medio de fibra de vidrio de bajo boro evita la contaminación por boro procedente del propio filtro en procesos de semiconductores, y es el estándar para nodos de 14 nm e inferiores.
Características principales
・ULPA 99,9995% @ 0,1-0,2 μm
・Medio de fibra de vidrio de bajo boro (menos de 10 ppm de B)
・Construcción mini-pleats (baja caída de presión)
・Estándar para procesos de semiconductores por debajo de 14 nm
Sectores destinatarios：Sanitario, Farmacéutico, Electrónica
Características y especificaciones
| N.º | Modelo | Eficiencia | An (mm) | Al (mm) | P (mm) | Caudal (CMM) | Caudal (CMH) | ΔP inicial (Pa) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 305 | 305 | 65 | 2.0 | 120 | 147 |
| 2 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 305 | 610 | 65 | 4.5 | 270 | 147 |
| 3 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 457 | 457 | 65 | 5.0 | 300 | 147 |
| 4 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 610 | 610 | 65 | 10.0 | 598 | 147 |
| 5 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 762 | 610 | 65 | 12.5 | 750 | 147 |
| 6 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 915 | 610 | 65 | 15.0 | 900 | 147 |
| 7 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 1220 | 610 | 65 | 20.5 | 1230 | 147 |
| 8 | BGMML-Z-E41 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 1500 | 1220 | 65 | 52.5 | 3150 | 147 |
| 9 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 305 | 305 | 98 | 2.0 | 120 | 118 |
| 10 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 305 | 610 | 98 | 4.5 | 270 | 118 |
| 11 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 457 | 457 | 98 | 5.0 | 300 | 118 |
| 12 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 610 | 610 | 98 | 10.0 | 598 | 118 |
| 13 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 762 | 610 | 98 | 12.5 | 750 | 118 |
| 14 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 915 | 610 | 98 | 15.0 | 900 | 118 |
| 15 | BGMML-Z-E38 | 99.9995%@0.1-0.2μm | 1500 | 1220 | 98 | 52.5 | 3150 | 118 |
Descripción detallada
El BGMML está diseñado para nodos avanzados de semiconductores (≤14 nm). El boro presente en el medio ULPA estándar puede desgasificarse en un flujo de aire de alta pureza y provocar un dopaje tipo p no deseado; el BGMML emplea fibra de vidrio de bajo boro con una liberación inferior a 10 ppm de B.
Materiales y construcción
| Propiedad | Especificación |
|---|---|
| Marco del filtro | ALUMINIO |
| Medio filtrante | PAPEL DE VIDRIO |
| Temperatura máxima | 60°C |
| Humedad relativa | 60%HR |
| Separador | ADHESIVO TERMOFUSIBLE |
| Junta | CLOROPRENO |
| Rejilla (aguas abajo) | - |
| Rejilla (aguas arriba) | - |
| Sellante | RESINA DE POLIURETANO |
| Caudal máximo | Calculable bajo pedido |
| ΔP final máxima (Pa) | 294 (245 cuando Al>760) |
Airflow vs Pressure Drop (representative)
Aplicaciones
- Procesos avanzados de semiconductores por debajo de 14 nm - Naves de litografía en fábricas de obleas - Entorno de equipos de recubrimiento fotorresistente / exposiciónNotas de selección
- Si también se requiere baja emisión orgánica, elija el TGMML. - Para semiconductores en general, el ATMML es más económico. - Diseño mini-pleats: menor ΔP que el BGMC (tipo separador).Referencias de selección
Antes de pedir, verifique el grado de eficiencia, el tipo de medio filtrante y si el entorno de trabajo se ajusta a sus requisitos.
